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有效折射率法的研究 CSCD PKU
期刊论文 | 2001 , (1) , 34-37 | 半导体光电
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Abstract :

分析了有效折射率法及其计算偏差的产生原因,提出了一种改进方法。这种方法克服了有效折射率法的由计算顺序不同导致的计算结果不一致的问题,并使计算精度有所提高。

Keyword :

波导 传播常数 有效折射率法

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GB/T 7714 孙飞 , 刘润民 , . 有效折射率法的研究 [J]. | 半导体光电 , 2001 , (1) : 34-37 .
MLA 孙飞 等. "有效折射率法的研究" . | 半导体光电 1 (2001) : 34-37 .
APA 孙飞 , 刘润民 , . 有效折射率法的研究 . | 半导体光电 , 2001 , (1) , 34-37 .
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脊形波导大截面理论研究 CSCD PKU
期刊论文 | 2001 , (3) , 193-197 | 半导体光电
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Abstract :

比较了两种不同的大截面脊形波导单模条件,分析了由Pogossian等人给出的单模条件及其偏差的产生原因,对这一条件进行了修正,使其偏差大大减小,并在此基础上,对大截面脊形波导中的多模问题进行了研究。

Keyword :

大截面 单模 多模 脊形波导

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GB/T 7714 孙飞 , 刘润民 , . 脊形波导大截面理论研究 [J]. | 半导体光电 , 2001 , (3) : 193-197 .
MLA 孙飞 等. "脊形波导大截面理论研究" . | 半导体光电 3 (2001) : 193-197 .
APA 孙飞 , 刘润民 , . 脊形波导大截面理论研究 . | 半导体光电 , 2001 , (3) , 193-197 .
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渐变截面多模干涉器件中MMI区长度的计算 CSCD PKU
期刊论文 | 2000 , (5) , 369-373 | 半导体光电
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Abstract :

从渐变截面波导与强导近似的阶跃截面波导之间的区别入手,推导出了渐变截面MMI区长度的精确表达式,并对成像的振幅和相位关系进行了研究.结果表明,在相同MMI区宽度条件下,渐变截面器件中MMI区最短长度为阶跃截面的两倍,但它的设计灵活性却是阶跃截面器件所无法比拟的.

Keyword :

波导 多模干涉 自成像

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GB/T 7714 孙飞 , 刘润民 , et al. 渐变截面多模干涉器件中MMI区长度的计算 [J]. | 半导体光电 , 2000 , (5) : 369-373 .
MLA 孙飞 et al. "渐变截面多模干涉器件中MMI区长度的计算" . | 半导体光电 5 (2000) : 369-373 .
APA 孙飞 , 刘润民 , , 刘恩科 . 渐变截面多模干涉器件中MMI区长度的计算 . | 半导体光电 , 2000 , (5) , 369-373 .
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GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制 CSCD PKU
期刊论文 | 2000 , (1) , 14-16 | 光电子·激光
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Abstract :

基于GeSi合金的等离子体色散效应,研制了一种Mach-Zehnder干涉型调制器,通过对其损耗和调制特性的测试得到:调制器对1.3 μm光的插入损耗为6.5 dB,最大调制深度达86%,相应的π相移调制电压为0.9 V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为40 mA和0.97 kA/cm2.

Keyword :

GeSi 调制器 光波导

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GB/T 7714 李宝军 , 万建军 , et al. GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制 [J]. | 光电子·激光 , 2000 , (1) : 14-16 .
MLA 李宝军 et al. "GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制" . | 光电子·激光 1 (2000) : 14-16 .
APA 李宝军 , 万建军 , , 刘恩科 , 胡冬枝 , 裴成文 et al. GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制 . | 光电子·激光 , 2000 , (1) , 14-16 .
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平面波导有效折射率数值解及光场分析 CSCD PKU
期刊论文 | 1999 , (1) , 44-46 | 半导体光电
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Abstract :

提出了一种计算有效折射率(neff)的数值迭代算法,并通过计算得出平面光波导的光场分布,并由此确定平面光波导的厚度.

Keyword :

光波导 光场分布 有效折射率

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GB/T 7714 刘淑平 , , 刘恩科 . 平面波导有效折射率数值解及光场分析 [J]. | 半导体光电 , 1999 , (1) : 44-46 .
MLA 刘淑平 et al. "平面波导有效折射率数值解及光场分析" . | 半导体光电 1 (1999) : 44-46 .
APA 刘淑平 , , 刘恩科 . 平面波导有效折射率数值解及光场分析 . | 半导体光电 , 1999 , (1) , 44-46 .
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Ge0.05Si0.9/Si脊形光波导的光场分析及设计 CSCD PKU
期刊论文 | 1998 , (1) , 59-63 | 固体电子学研究与进展
Abstract&Keyword Cite

Keyword :

半导体器件 光波导 光场

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GB/T 7714 , 刘淑平 . Ge0.05Si0.9/Si脊形光波导的光场分析及设计 [J]. | 固体电子学研究与进展 , 1998 , (1) : 59-63 .
MLA et al. "Ge0.05Si0.9/Si脊形光波导的光场分析及设计" . | 固体电子学研究与进展 1 (1998) : 59-63 .
APA , 刘淑平 . Ge0.05Si0.9/Si脊形光波导的光场分析及设计 . | 固体电子学研究与进展 , 1998 , (1) , 59-63 .
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1.3μm和1.55μmSi1―xGex波长信号分离器与Si1―xGex/Si应变超晶 … CSCD PKU
期刊论文 | 1998 , (2) , 115-122 | 半导体学报
Abstract&Keyword Cite

Keyword :

WSD 光通信 红外探测器 集成

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GB/T 7714 李宝军 , . 1.3μm和1.55μmSi1―xGex波长信号分离器与Si1―xGex/Si应变超晶 … [J]. | 半导体学报 , 1998 , (2) : 115-122 .
MLA 李宝军 et al. "1.3μm和1.55μmSi1―xGex波长信号分离器与Si1―xGex/Si应变超晶 …" . | 半导体学报 2 (1998) : 115-122 .
APA 李宝军 , . 1.3μm和1.55μmSi1―xGex波长信号分离器与Si1―xGex/Si应变超晶 … . | 半导体学报 , 1998 , (2) , 115-122 .
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GE_XSI_(1-X)/SI应变超晶格PIN探测器的研制 CSCD PKU
期刊论文 | 1998 , (8) , 38-43 | 半导体学报
Abstract&Keyword Cite

Keyword :

PIN探测器 外量子效率 应变超晶格

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GB/T 7714 万建军 , , 李娜 et al. GE_XSI_(1-X)/SI应变超晶格PIN探测器的研制 [J]. | 半导体学报 , 1998 , (8) : 38-43 .
MLA 万建军 et al. "GE_XSI_(1-X)/SI应变超晶格PIN探测器的研制" . | 半导体学报 8 (1998) : 38-43 .
APA 万建军 , , 李娜 , 许雪林 , 刘恩科 . GE_XSI_(1-X)/SI应变超晶格PIN探测器的研制 . | 半导体学报 , 1998 , (8) , 38-43 .
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GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和结构设计 PKU
期刊论文 | 1998 , (1) , 36-39 | 陕西师范大学学报(自然科学版)
Abstract&Keyword Cite

Keyword :

GESI/SI多量子阱 传播系数 光波导

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GB/T 7714 任中杰 , 李娜 , et al. GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和结构设计 [J]. | 陕西师范大学学报(自然科学版) , 1998 , (1) : 36-39 .
MLA 任中杰 et al. "GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和结构设计" . | 陕西师范大学学报(自然科学版) 1 (1998) : 36-39 .
APA 任中杰 , 李娜 , , 刘恩科 . GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和结构设计 . | 陕西师范大学学报(自然科学版) , 1998 , (1) , 36-39 .
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GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计 CSCD PKU
期刊论文 | 1998 , (3) , 45-50 | 红外与毫米波学报
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Keyword :

GESI/SI多量子阱 光波导 吸收层

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GB/T 7714 李娜 , 李宁 , 陆卫 et al. GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计 [J]. | 红外与毫米波学报 , 1998 , (3) : 45-50 .
MLA 李娜 et al. "GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计" . | 红外与毫米波学报 3 (1998) : 45-50 .
APA 李娜 , 李宁 , 陆卫 , 沈学础 , , 刘恩科 . GESI/SI多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计 . | 红外与毫米波学报 , 1998 , (3) , 45-50 .
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