Indexed by:
Abstract:
根据GIS的结构特点,对一种带有并联电阻的隔离开关抑制VFTO的机理、作用进行了数值分析.通过研究可知,由于隔离开关分合闸电阻有抑制VFTTO的作用,GIS中所产生的VFTO的幅值不高,这对于GIS以及连接设备和二次控制装置的绝缘不会构成危害,但是GIS中的VFTO频率很高,对带有绕组的电气设备的绝缘水平,如变压器,会带来一定的影响.
Keyword:
Reprint Author's Address:
Email:
Source :
高压电器
ISSN: 1001-1609
Year: 2006
Issue: 1
Page: 18-20,24
Cited Count:
WoS CC Cited Count: 0
SCOPUS Cited Count:
ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All
WanFang Cited Count:
Chinese Cited Count:
30 Days PV: 1
Affiliated Colleges: