The　Bi2O3-ZnO-Nb2O5　(BZN)　cubic　pyrochlore　thin　films　were　prepared　on　Pt/TiO2/SiO2/Si(1　0　0)　substrates　by　using　pulsed　laser　deposition　process.　The　oxygen　pressure　was　varied　in　the　range　of　5-50　Pa　to　investigate　its　effect　on　the　structure　and　dielectric　properties　of　BZN　thin　films.　It　is　found　that　oxygen　pressure　during　deposition　plays　an　important　role　on　structure　and　other　properties　of　BZN　films.　The　BZN　films　deposited　at　temperature　of　650　degrees　C　and　at　O-2　pressure　of　5　Pa　have　an　amorphous　BZN　and　Nb2O5　phases　but　exhibits　a　cubic　pyrochlore　structure　with　a　preferential　(2　2　2)　orientation　when　the　oxygen　pressure　increases　to　10　Pa.　Dielectric　constant　and　loss　tangent　of　the　films　deposited　at　10　Pa　are　185　and　0.0008　at　10　kHz,　respectively.　The　dielectric　tunability　is　about　10%　at　a　dc　bias　field　of　0.9　MV/cm.　(C)　2009　Elsevier　B.　V.　All　rights　reserved.