Bi2Zn2/3Nb4/3O7　thin　films　were　deposited　on　Pt/TiO2/SiO2/Si(　1　0　0)　substrates　at　a　room　temperature　under　the　oxygen　pressure　of　1-10　Pa　by　pulsed　laser　deposition.　Bi2Zn2/3Nb4/3O7　thin　films　were　then　post-annealed　below　200　degrees　C　in　a　rapid　thermal　process　furnace　in　air　for　20　min.　The　dielectric　and　leakage　current　properties　of　Bi2Zn2/3Nb4/3O7　thin　films　are　strongly　influenced　by　the　oxygen　pressure　during　deposition　and　the　post-annealing　temperature.　Bi2Zn2/3Nb4/3O7　thin　films　deposited　under　1　Pa　oxygen　pressure　and　then　post-annealed　at　a　temperature　of　150　degrees　C　show　uniform　surface　morphologies.　Dielectric　constant　and　loss　tangent　are　57　and　0.005　at　10　kHz,　respectively.　The　high　resolution　TEM　image　and　the　electron　diffraction　pattern　show　that　nano　crystallites　exist　in　the　amorphous　thin　film,　which　may　be　the　origin　of　high　dielectric　constant　in　the　Bi2Zn2/3Nb4/3O7　thin　films　deposited　at　low　temperatures.　Moreover,　Bi2Zn2/3Nb4/3O7　thin　film　exhibits　the　excellent　leakage　current　characteristics　with　a　high　breakdown　strength　and　the　leakage　current　density　is　approximately　1　x　10(-7)　A/cm(2)　at　an　applied　bias　field　of　300　kV/cm.　Bi2Zn2/3Nb4/3O7　thin　films　are　potential　materials　for　embedded　capacitor　applications.　(C)　2011　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.