A　diamond-based　field　effect　transistor　with　LaB6/Al2O3　bilayer　has　been　fabricated.　Al2O3　and　LaB6　layer　were　deposited　by　atomic-layer-deposition　and　electron　beam　evaporation　system,　respectively.　The　LaB6/Al2O3　bilayer　shows　a　high　dielectric　constant　(29.8).　The　leakage　current　density　of　LaB6/Al2O3　diamond　metal-insulator-semiconductor　field　effect　transistor　keeps　lower　than　1　×　10−6　A　cm−2　when　the　gate　bias　changed　from　5　V　to　−5　V.　This　device　operates　in　a　p-type　depletion　mode,　whose　maximum　drain-source　current,　threshold　voltage,　maximum　transconductance,　effective　mobility　and　sheet　hole　density　are　determined　to　be　−73.8　mA·mm−1,　2.2　V,　10.4　mS·mm−1,128　cm2·V−1·s−1,　and　3.2　×　1013　cm−2,　respectively.　©　2021