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本发明公开了一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动；2)将经步骤1)处理后的金属钼基板通过MPCVD沉积设备以甲烷、氢气及氧气的混合气体为反应气体进行金刚石薄膜生长，得用于二次电子发射的金刚石薄膜，其中，甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4-6：94-96：0-2，生长过程中MPCVD沉积设备的微波功率为4500-5000w，温度为1050-1100℃。本发明制备的金刚石薄膜具有较高的二次电子发射系数及更好的衰减特性。
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Type： 发明专利
Patent No.： CN201510255980.4
Filing Date： 2015-05-19
Publication Date： 2015-09-09
Pub. No.： CN104894529A
Applicants： 西安交通大学
Legal Status： 在审
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