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一种高深宽比超微钨电极阵列及其制备方法，首先制作铜制夹板、正面挡板、侧面挡板和底座，然后将正面挡板、铜制夹板和底座固定在一起；将钨丝分别穿过正面挡板，并将钨丝两端放置在铜制夹板的凹槽内，用热熔胶将其粘接固定在铜制夹板背面的凹槽内；重复将铜制夹板分别固定制备出m×n的钨丝阵列；将侧面挡板与底座紧固，从而与正面挡板形成一个型腔；在上述型腔中浇注环氧树脂并使其固化，再对上述钨丝进行修剪；依次拆卸侧面挡板、铜制夹板、正面挡板和底座，得到高深宽比m×n的超微钨电极阵列。与其他制备方法相比较，本发明所制备的超微钨电极阵列具有高深宽比、高精度、阵列可任意调整、成本低、可批量生产等特点。
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Type： 发明专利
Patent No.： CN201110151609.5
Filing Date： 2011-06-09
Publication Date： 2012-02-15
Pub. No.： CN102353706A
Applicants： 西安交通大学
Legal Status： 有权
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