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王剑锋 (王剑锋.) | 吴汇焱 (吴汇焱.) | 宋忠孝 (宋忠孝.) | 马大衍 (马大衍.) | 徐可为 (徐可为.) | 刘纯亮 (刘纯亮.) (Scholars:刘纯亮)

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CSCD PKU WF

Abstract:

采用磁控溅射在玻璃基底上沉积Mg-Zr-O复合介质保护膜,研究Zr掺杂含量对薄膜微观结构和放电性能(着火电压,最小维持电压)的影响.结果发现,沉积的Mg-Zr-O薄膜晶粒细小,微观结构仍然保持Mg0的面心立方NaCl型结构,所掺杂的Zr以Zr4+形式置换固溶于Mg0晶格中.当掺杂Zr浓度为2.03at%时,薄膜具有最强的(200)择优取向和最小的表面粗糙度.适当Zr掺杂的Mg-Zr-O薄膜和纯Mg0薄膜相比,其着火电压和最小维持电压分别降低了25和15 V.

Keyword:

Mg-Zr-O 磁控溅射 放电性能 交流等离子显示板(AC PDP) 微观结构

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Source :

稀有金属材料与工程

ISSN: 1002-185X

Year: 2011

Issue: 2

Page: 339-342

0 . 1 6 4

JCR@2011

0 . 5 0 6

JCR@2020

ESI Discipline: MATERIALS SCIENCE;

JCR Journal Grade:3

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